2023年12月1日，美国专利商标局（USPTO）发布了半导体技术试点项目，旨在支持2022年芯片法案，加快对提高半导体设备产量、降低半导体制造成本和加强半导体供应链的创新专利申请的审查，以鼓励半导体制造领域的研究、开发和创新，提供公平的知识产权保护，激励半导体制造领域的投资。

  根据试点项目，半导体设备制造的某些工艺或装置技术的合格申请将被提前审查（授予特殊地位），直到专利审查员发出第一次审查意见通知书。申请人须使用规定的申请表及时提交特殊申请，申请提交的截止时间为2024年12月2日，或申请总数达到1000件之前（以较早者为准）。

  具体要求：
（1）申请条件：非临时申请且非继续申请；根据《美国法典》第35编第120、121、365(c)或386(c)条规定，主张1个优先权或指定进入美国国家阶段的正式申请。

（2）技术要求：专利申请必须至少包含一项权利要求，该权利要求涉及制造半导体器件的工艺或装置，并与合作专利分类（CPC）中的H10（半导体器件；未另作规定的固态电子器件）或H01L（不属于H10类别的半导体器件）中的一个或多个技术概念相对应。

（3）申请方式：在提交申请或进入国家阶段时，必须通过专利中心（Patent Center），以DOCX格式提交说明书、权利要求书和摘要的电子文档。

（4）申请时间：根据《美国法典》第35编第371条的规定提交申请/进入国家阶段，或在申请提交日/进入国家阶段日后30天内提交特别申请。

（5）提交材料：申请人必须附上PTO/SB/467表单（包含申请书及必须认证文件），并通过专利中心提交电子版。

来源：中国科学院知识产权信息